或者说，这个元素一直都存在，只是，它如今又成为强有力的第一顺位。

“现在的情况其实相对还算可以接受，需要担忧的是后续的追加措施。”

等到开会节奏稀碎的大会结束，两位CEO加上CTO以及方卓这个董事长又碰头再开小会，邱慈云上来就给了这样一个阶段性的判断。

方卓“嗯”了一声，确认道：“肯定会有追加的，那边也在观察情况。”

“16nm从今年到明年都会是具有竞争力的制造工艺，台记到现在都还没有上16nm的大规模量产，唔，它可能不远了，但三星、联电、格芯都还得等一等，后续的10nm需要时间，再怎么早也得是……”邱慈云心中盘算，比较肯定地说道，“得是17年的事了。”

2015年的Q1只剩下不到1个月的时间，全球拥有14/16nm产能的仍然只有冰芯与英特尔两家。

今年的晶圆制造先进工艺是属于14/16nm的，而这个节点引入的FinFET存在很大的优化空间，明年只会是产能的增加与工艺的优化。

按照冰芯原先不受影响的研发进度，最快也得是2017年的上半年才有希望推出更为先进的10nm。

也就是说，冰芯的16nm还有着十分不错的最少两年时间的保鲜期。

方卓喝了口茶，微微点头。

梁孟淞这个时候说道：“好消息是，即便没有EUV，我们使用DUV也已经有拓展到10nm的方案，英特尔用DUV+SAQP的过渡方案是可行的，虽然方法复杂，成本也高，但这对我们是在技术和成本可行范围内的不错选择。”

深紫外光刻加上自对准四重图案化技术的解决方案是来自英特尔对制造工艺极限的开拓，胡正明与梁孟淞在与英特尔交流合作FinFET之后基本确认了可行性。

他想了想，又补充道：“考虑到英特尔对工艺节点的划分和实际的晶体管密度，我认为10nm不是DUV+SAQP方案的极限，7nm的可行性也很高。”

就像现在英特尔的14nm与冰芯的16nm，两者归在同一阶段，但前者的晶体管密度是每平方毫米大约3750万，后者的则是3000万，两种工艺存在25%的差距。

同一阶段的节点，英特尔确实更强，由此，英特尔的DUV+SAQP方案在10nm上的拓展或可展望其它厂商的7nm，但这就需要冰芯进一步的研究与优化了。

方卓关切地问道：“英特尔自己做10nm和7nm也都用这个方案吗？”

“看他们的意思……”梁孟淞没想到方总会问这样的问题，他停顿思考，答道，“之所以叫它过渡方案就是因为EUV的成熟需要解决，英特尔的10nm大概会用这个，7nm怎么也应该引入EUV了。”

方卓“啧”了一声。

胡正明忍不住笑道：“还是EUV好是吧，方总，有的用就不错了。”

“确实，有的用就不错了。”方卓说道，“单就制程工艺这一块，我们的情况没那么差。”

胡正明努努嘴：“是的，这是我们的梁院士辛辛苦苦换来的。”

因为冰芯跨代抢滩了FinFET的16nm，所以，即便遭遇严厉限制，如今在工艺这一块也能相对从容。

业界如今对于先进工艺的定义已经在以28nm作为分界点，在它之前属于成熟工艺，之后的自然就是先进工艺。

更不用说冰芯的16nm，这是先进中的先进。

也正因为这种先进性，冰芯是不缺订单的，哪怕完全供向国内，也能把产能填满，只是，上限被削弱了。

冰芯过去这些年的快速发展得益于全球市场与供应链的广泛合作，这是一套已经得到验证的行之有效的体系。

但在今后，这套体系放在国内就需要再经验证，因为，大家都不会停下脚步，冰芯仍需往前。

“BIS限制美利坚企业对我们的出口，这一块也还行，去美化是我们一直在做的，欧洲和日本厂商能保证竞争力，问题就在于，BIS后续追加的措施会怎么扩大范围，一旦全面的限制，那就是一个很严肃很严肃的挑战，我们需要保证我们的最低运转。”邱慈云认真地说道。

方卓沉吟道：“现在是美利坚的出口，未来必然会是美利坚扩展到更大范围，也必然会包括进口，我现在还没有进一步的消息，实在不行，那就先苦一苦兄弟。”

一旦限制范围扩大，冰芯面临的状况就会十分麻烦。

比如，ArF光刻胶，这是先进工艺节点不可或缺的核心材料之一，而全球市场是由日企垄断了超90%的份额。

更为关键的是，它是对光敏感的精密化学材料，保质期一般在六个月之内，囤货也不好囤。

一旦冰芯被断供，生产运转就遭受极大的影响。

“中芯冰芯，同气连枝，是吧？”邱慈云打趣道，“必要的时候从兄弟那里拆一拆机器，匀一匀材料，先把难关度过去。”